Тензорезисторы
Ряд полупроводниковых материалов достаточно резко изменяет свое электросопротивление под влиянием механических напряжений. Этот эффект называется тензорезистивным, а материалы, в которых он имеет место, — тензорезисторами. Природа тензорезистивного эффекта у разных полупроводников может быть различной. У порошковых композиций, например у авиационных угольных регуляторов напряжения и в угольных микрофонах, она обусловливается преимущественно изменением электросопротивления за счет изменения площади и качества поверхности контактов; в однородных монокристаллах — изменением ширины валентной зоны и анизотропии эффективных масс электронов при деформировании; в монокристаллах с p-n-переходами - за счет изменений ширины перехода и потенциалов на нем.
В простейшем случае этот эффект оценивается коэффициентом тензочувствительности по напряжению:
характеризующему относительное изменение электросопротивления ?R/R0, приходящееся на единицу приложенного напряжения ?, или коэффициентом тензочувствительности по деформации:
где ?R – изменение сопротивления; ? – механическое напряжение; ? – коэффициент тензочувствительности по напряжению; ? – механическая деформация; K – коэффициент тензочувствительности по деформации.
