Материаловедение и ТКМ


Тензорезисторы


Ряд полупроводниковых материалов достаточно резко изме­няет свое электросопротивление под влиянием механических на­пряжений. Этот эффект называется тензорезистивным, а материалы, в которых он имеет место, — тензорезисторами. Природа тензорезистивного эффекта у разных полупроводников может быть различной. У порошковых композиций, например у авиационных угольных регуляторов напряжения и в угольных микрофонах, она обусловливается преимущественно изменени­ем электросопротивления за счет изменения площади и качества поверхности контактов; в однородных монокристаллах — изме­нением ширины валентной зоны и анизотропии эффективных масс электронов при деформировании; в монокристаллах с p-n-переходами - за счет изменений ширины перехода и по­тенциалов на нем.

В простейшем случае этот эффект оценивается коэффициен­том тензочувствительности по напряжению:

характеризующему относительное изменение электросопротив­ления ?R/R0, приходящееся на единицу приложенного напряже­ния ?, или коэффициентом тензочувствительности по деформа­ции:

                               

 

где ?R – изменение сопротивления; ? – механическое напряжение; ? – коэффициент тензочувствительности по напряжению; ? – механическая деформация; K – коэффициент тензочувствительности по деформации.

 

 

 




Начало  Назад  Вперед