Подвижность носителей заряда характеризует способность
? – удельное электрическое сопротивление;
n – концентрация носителей заряда;
q – величина заряда;
? – подвижность носителей заряда;
Подвижность носителей заряда характеризует способность перемещаться под действием электрического поля.
В металлах n практически не меняется. В полупроводниках n зависит от температуры.
где k – постоянная Больцмана
T – абсолютная температура
Разделение тел на полупроводники и диэлектрики носит в значительной мере условный характер. Алмаз, являющийся диэлектриком при комнатной температуре, приобретает заметную проводимость при более высоких температурах и может считаться также полупроводником. По мере того, как в качестве полупроводников начинают использоваться материалы со все более широкой запрещенной зоной, деление
тел на полупроводники и диэлектрики постепенно утрачивает свой
смысл.
В таблице приведены электрофизические свойства и характеристики зонной структуры трех типичных собственных полупроводников при комнатной температуре — кремния, германия и антимонида индия.
Вещество
|
Eg, эВ
|
?, Ом×м
|
?n,см2/В×с
|
?p,см2/В×с
|
?, г/см3
|
M, г/моль
|
Ge (70÷800C)
|
0,66
|
0,8
|
4000
|
3000
|
5,3
|
73
|
Si (120÷1400C)
|
1,12
|
2000
|
1900
|
400
|
2,3
|
28
|
Из данных таблицы видно, что с уменьшением ширины запрещенной зоны резко возрастает концентрация свободных носителей заряда в полупроводнике и падает его удельное сопротивление.
Содержание Назад Вперед