Материаловедение и ТКМ



Собственные полупроводники - часть 2


                                                                          ? – удельное электрическое сопротивление;

 
                                                        n – концентрация носителей заряда;

                                                                         q – величина заряда;

                                                                         ? – подвижность носителей заряда;

  Подвижность носителей заряда характеризует способность перемещаться под действием электрического поля.

 
 

В металлах n практически не меняется. В полупроводниках n зависит от температуры.

 
 


где k – постоянная Больцмана

      T – абсолютная температура

Разделение тел на полупроводники и диэлектрики носит в значительной мере условный характер. Алмаз, являющийся диэлектриком при комнатной температуре, приобретает заметную проводимость при более высоких температурах и может считаться также полупроводни­ком. По мере того, как в качестве полупроводников начинают использоваться материалы со все более широкой запрещенной зоной, деление
тел на полупроводники и диэлектрики постепенно утрачивает свой
смысл.

В таблице приведены электрофизические свойства и характеристики зонной структуры трех типичных собствен­ных полупроводников при комнатной температуре — кремния, германия и антимонида индия.

Вещество

Eg, эВ

?, Ом×м

?n,см2/В×с

?p,см2/В×с

?, г/см3

M, г/моль

Ge (70÷800C)

0,66

0,8

4000

3000

5,3

73

Si (120÷1400C)

1,12

2000

1900

400

2,3

28

Из данных таблицы видно, что с уменьшением ширины запрещенной зоны резко возрастает концентрация свободных носителей заряда в полупроводнике и падает его удельное сопротивление.




Содержание  Назад  Вперед