Подвижность носителей заряда характеризует способность

? – удельное электрическое сопротивление;

                                                        n – концентрация носителей заряда;

                                                                         q – величина заряда;

                                                                       ? – подвижность носителей заряда;

Подвижность носителей заряда характеризует способность перемещаться под действием электрического поля.

В металлах n практически не меняется. В полупроводниках n зависит от температуры.

где k – постоянная Больцмана

T – абсолютная температура

Разделение тел на полупроводники и диэлектрики носит в значительной мере условный характер. Алмаз, являющийся диэлектриком при комнатной температуре, приобретает заметную проводимость при более высоких температурах и может считаться также полупроводником. По мере того, как в качестве полупроводников начинают использоваться материалы со все более широкой запрещенной зоной, деление
тел на полупроводники и диэлектрики постепенно утрачивает свой
смысл.

В таблице приведены электрофизические свойства и характеристики зонной структуры трех типичных собственных полупроводников при комнатной температуре — кремния, германия и антимонида индия.

Вещество	Eg, эВ	?, Ом×м	?n,см2/В×с	?p,см2/В×с	?, г/см3	M, г/моль
Ge (70÷800C)	0,66	0,8	4000	3000	5,3	73
Si (120÷1400C)	1,12	2000	1900	400	2,3	28

Из данных таблицы видно, что с уменьшением ширины запрещенной зоны резко возрастает концентрация свободных носителей заряда в полупроводнике и падает его удельное сопротивление.

Содержание Назад Вперед

Forekc.ru
Рефераты, дипломы, курсовые, выпускные и квалификационные работы, диссертации, учебники, учебные пособия, лекции, методические пособия и рекомендации, программы и курсы обучения, публикации из профильных изданий