Собственные полупроводники - часть 2
? – удельное электрическое сопротивление;
|
q – величина заряда;
? – подвижность носителей заряда;
Подвижность носителей заряда характеризует способность перемещаться под действием электрического поля.
|
В металлах n практически не меняется. В полупроводниках n зависит от температуры.
|
где k – постоянная Больцмана
T – абсолютная температура
Разделение тел на полупроводники и диэлектрики носит в значительной мере условный характер. Алмаз, являющийся диэлектриком при комнатной температуре, приобретает заметную проводимость при более высоких температурах и может считаться также полупроводником. По мере того, как в качестве полупроводников начинают использоваться материалы со все более широкой запрещенной зоной, деление
тел на полупроводники и диэлектрики постепенно утрачивает свой
смысл.
В таблице приведены электрофизические свойства и характеристики зонной структуры трех типичных собственных полупроводников при комнатной температуре — кремния, германия и антимонида индия.
|
Вещество |
Eg, эВ |
?, Ом×м |
?n,см2/В×с |
?p,см2/В×с |
?, г/см3 |
M, г/моль |
|
Ge (70÷800C) |
0,66 |
0,8 |
4000 |
3000 |
5,3 |
73 |
|
Si (120÷1400C) |
1,12 |
2000 |
1900 |
400 |
2,3 |
28 |
Из данных таблицы видно, что с уменьшением ширины запрещенной зоны резко возрастает концентрация свободных носителей заряда в полупроводнике и падает его удельное сопротивление.